PECVD-Anlage „Von Ardenne LS 350 P"
- Plasmabeschichtung mit kapazitiver Einkopplung 13,56 MHz
- Beschichtung mit Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid
- Prozessgase: CF4, CHF3, CH4, NH3, H2, SiH4, O2, N2, Ar
- Flüssigverdamper HMDSN/HMDSO
- Prozessdrücke ca. 10 – 100 Pa
- Maximale Wafergröße 150 mm