ICP-Ätz- und Beschichtungscluster „Sentech SI 500 C/D“
Reaktives Ionenätzen (RIE) und Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) mit induktiv gekoppelten Plasmen (ICP) bei 13,56 MHz
RIE-Modul „SI 500 C“
- Strukturübertragung für Silizium- und Silizium-Organik-Hybrid-Technologie
- Erzeugung photonischer Strukturen
- Tiefes Silizium-Ätzen mit Bosch- und Kryo-Prozess
- In-Situ-Diagnostik mit optischer Emissionsspektroskopie (OES) und interferometrischen Verfahren
- Prozessgase: CF4, C4F8, SF6, H2, O2, N2, CH4, Ar, He
- Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
- Maximale Wafergröße 200mm
PECVD-Modul „SI 500 D“
- Beschichtung mit Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitriden, DLC und Polymeren
- In-Situ-Diagnostik mit OES und interferometrischen Verfahren
- Prozessgase: CF4, CH4, NH3, H2, SiH4, O2, N2, Ar, He
- Prozessdrücke von 0,1 bis 10 Pa
- Maximale Wafergröße 200mm