PECVD-Anlage „Von Ardenne LS 350 P"

PECVD-Anlage „Von Ardenne LS 350 P"

PECVD-Anlage „Von Ardenne LS 350 P"

Plasmabeschichtung mit kapazitiver Einkopplung 13,56 MHz
Beschichtung mit Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid
Prozessgase: CF4, CHF3, CH4, NH3, H2, SiH4, O2, N2, Ar
Flüssigverdamper HMDSN/HMDSO
Prozessdrücke ca. 10 – 100 Pa
Maximale Wafergröße 150 mm

PECVD Beschichtungsanlage — © Arbeitsgruppe Photonik, Laser- und Plasmatechnologien

Dr.-Ing. Friedhelm Heinrich

Ansprechpartner _{Dr.-Ing. Friedhelm Heinrich} _{Dr.-Ing. Friedhelm Heinrich}

Tel.: +49 3375 508 429
Mail: friedhelm.heinrich@th-wildau.de
Haus 14, Raum A218